Wrocławskie Centrum Badań EIT+
EN | PL
biuletyn informacji publicznej
szukaj

Domieszkowanie polega na dodawaniu niejednorodnych/zanieczyszczonych atomów do półprzewodników tak, aby zapewnić im wolne nośniki do przewodzenia.  Proces ten stał się jednym z  decydujących w mikroelektronice, już w pierwszych etapach rozwoju tej dziedziny.

Przedmiotem intensywnych badań jest w szczególności domieszkowanie germanu na wysokim zagęszczeniu/ stężeniu tak, aby miał on dużą przewodność.  Dzieje się tak, ponieważ german cieszy się dużą popularnością podczas produkcji nowinek technicznych używanych w silikonowych laserach oraz urządzeniach przetwarzających informację kwantową.

Naukowcy niedawno zademonstrowali metodę, która gęsto nakłada molekuły domieszki półprzewodnika na powierzchnię germanu, które potem same tworz ą molekularne układy z jednym atomem fosforowej domieszki półprzewodnika pomiędzy dwoma atomami germanu.

Grupa badaczy, do której należąnaukowcy z UNSW, the University of Sydney oraz Universita’ di Roma Tre, przestudiowała te chemiczne reakcje na poziomie atomów za pomocą skaningowego mikroskopu tunelowego, a ich odkrycie zostało potwierdzone teoretycznymi obliczeniami.

W przeciwieństwie do krzemu, badacze odkryli, że podczas absorpcji na powierzchni germanu, molekuły fosforu dysocjują, produkując związki PH₂, które wbudowują się pomiędzy atomy germanu.

Badania na poziomie atomów są kluczowe dla rozwoju elektroniki opartej na germanie.

Źródło: nanonet.pl.

 

Czy wiesz, że ...

Polacy nie gęsi na manganie umieją pisać. Polscy naukowcy zapisali informacje na pojedynczym atomie manganu co ma duże znaczenie dla wzrostu mocy komputerów.

więcej informacji

 

Aktualności

30 Kreatywnych Wrocławia odebrało wczoraj wyróżnienia z rąk prezydenta Rafała Dutkiewicza.

01.07.15
narodowe centrum bada i rozwoju
dolnolski gryf gospodarczy
adres
facebookgoogle plustwitteryoutubelinkedinpinterestrss
adres